溫度勾配法
溫度勾配法（溫度勾配法、TGT）の溫度勾配法は、まず光學と精密機械の上海研究所、中國Zhouyong宗らの中國科學アカデミーの1980年に実裝されています。垂直方向の溫度勾配法によって誘導される方位の種結晶成長。溫度勾配法は、単結晶方位の種結晶法によって誘導される溶融物に基づいています。シンプルなベル型の真空抵抗爐の坩堝、発熱體と遮蔽裝置の配置を含む、図14は、デバイスの図である。このデバイスは、アメリシウム坩堝、黒鉛発熱體を使用しています。シードスロットのるつぼの中心の底部、溶融した材料の結晶植物の周りに土を鍬を避けるために。るつぼ、位置決めロッドの円形の溝內に種子スロットの安定性を高めるために。黒鉛発熱體と冷卻の溫度場。上下シリンダーの加熱要素の矩形波狀のラス電源回路に溝カット、全體のシリンダーは水冷電極と基板に接続されている黒鉛電極にインストールされています。ほぼリニアな溫度差が生じる上から下への電源ので、耐熱性を調節するために一定の規則に従って穴の半分のラス。グラファイトヒーターと水冷作成するための電極を介して導通の間に発熱體の溫度差の下部中。溫度場の近くにシードが提供するために一緒に熱伝導率と水冷るつぼロッドに依存する必要があります。溫度勾配裝置の概略図による。
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このメソッドの主な特徴：
、メルトに囲まれた結晶成長の後、2）熱のままで、1）結晶成長溫度勾配の重力の方向に反して、るつぼ、結晶と體を加熱し、結晶成長界面、機械的擾亂の安定性を移動しない、浮力対流が小さい面積、冷卻速度の正確な制御は、熱応力を低減する、それが均一で利用可能なインターフェースを除外するだけでなく、固液界面に到達する前に、3）熱揺らぎに囲まれた融液中の結晶成長、固液界面を低減させることができる溫度勾配、4）より大きい結晶の成長は、それが結晶李バースト、溫度場の良い環境を作成することは困難である、5）水晶ブランクは、高溫酸化した、アニール処理の雰囲気を復元するには、フォローアップの空白の処理プロセスはより複雑です。周Yongzongなどの方法では、直徑100ミリメートル￠、￠110ミリメートル、120ミリメートル￠高品質サファイア結晶に成長してきました。サファイアクリスタル、ライトレッド、テールシャルトルの一般的な上部のさまざまな部分で異なった色を示す結晶の溫度勾配法の成長。雰囲気を酸化した後、高溫アニールの雰囲気を復元するために、結晶、結晶は、結晶、光透過率と光學均一性の整合性、無色透明になる

改善されました。結晶成長裝置およびアニール前と下の図で結晶をアニール後。

斷熱パネル、発熱體、るつぼ、黒鉛電極、水冷管