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サファイア結晶成長技術の利點、欠點およびアプリケーション

 

サファイアの生産技術の利點、欠點およびアプリケーション
主な生産技術 利點 短所 アプリケーション

泡生法
(Kyropoulos)

高品質(光學グレード)、低欠陥密度、大型、大容量、比較的低コスト 動作させる複雑な、一貫性がC軸結晶の高、低収率と成長が困難ではありません Kyropoulos様々な改良Kyropoulos成長、アメリカRublcon、ロシアの単結晶、Astek、韓國、臺灣、CROSSのLED基板のグローバルなサファイア基板の70%以上
チョクラルスキー法
(Czochralski)
生産狀況は、相対的な規則性を制御するための簡単な結晶の形狀、大きさを観察するのは簡単です。 欠陥密度は、限られたへの容易な金のるつぼ、高コスト、サイズ、に応じて使用しなければならない カナダハネウェル(中國Silianグループは2008年に買収)サンゴバン、フランス、日本、サファイア企業
ガイドモード法
(EFG)
良質 裝置、プロセスが複雑な必要とする 日本京瓷(京セラ)、并木(並木)
溫度梯度法
(TGT)
インターフェイスはシンプルな設備、便利な操作、機械的な外亂安定した、高収率であり、c軸結晶を成長することができます 回転せずに結晶、均一な溫度場は簡単ではありません。結晶に必要なその後のアニール処理、長い期間、大きな影響を強制的にるつぼのコストが高い 光學と精密機械の上海研究所、オプトマテリアル事業部、深セン、オーデマピゲストーン研究所
ブリッジマン シンプルな機器、高収率 結晶欠陥の密度が高い 大量生産が、価格は、結晶Kyropoulosの約半分です。
垂直方向と水平方向の溫度勾配冷卻 結晶の大きさ(直徑と高さ)と、比較的無制限の形狀 特許は、韓國STC手の中 韓國(STC)
熱交換方式
(HEM)
品質、大サイズ 設備要件、プロセスの複雑さ、コストが高く、主な問題は、クラックが容易であり、結晶 米國クリスタルシステム(2010)國はGT Sdarの買収に従事し始めた
肩マイクロチョクラルスキー法を置くために冷たい心。
(SAPMAC)
クリスタル完璧その場アニーリングサイクルで達成することができる短い、低コストで 溫度変動の影響を受け、困難な成長とC軸結晶に 哈爾濱大奧瑞德光電技術有限公司

 

 

 

 

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