LEDは、LEDサファイア基板フィルムを処理するための合成サファイア（単結(jié)晶アルミナ）を指します。人工サファイア（酸化アルミニウム単結(jié)晶）は、裝飾に適用することができます（例えば、ジュエリー、テーブルガラス、など）、工業(yè)用窓材や半導(dǎo)體基板、サファイアは、特別な水晶、低転位密度を必要とするLED基板は、したがって、合成サファイアのハイエンド製品に屬する

最初の低い窒化ガリウム（GaN）系エピタキシャルウェーハ、MOCVDエピタキシャル爐のプロセスの裏地で生産。プロセスの要件に従って、材料の源と高純度ガスの様々な必要なGaN系エピタキシャルウェーハを製造するための準(zhǔn)備が徐々にエピタキシャル膜が良い仕事をする。一般的に使用される基板、サファイア、炭化ケイ素、シリコン基板と同様に、ZnOおよび他の材料のGaAs、AlNの、。 MOCVDのガス反応物（前駆體）と基質(zhì)反応の表面にNH3の有機(jī)金屬とⅤ群のIIIファミリを使用することで、所望の生成物は、基板表面上に堆積。コーティング組成物は、結(jié)晶同等の品質(zhì)を制御するために、比の溫度、圧力、反応物の濃度と種類(lèi)を制御することによって。 MOCVDエピタキシャル爐はLEDエピタキシャルウェーハを製造するための最も一般的に使用される機(jī)器です。処理に続いて、二つの電極と電極加工のLEDのPN接合は、洗浄、蒸発、黃色、化學(xué)エッチング、溶斷、研削を含むLEDチップの生産の重要なプロセスであり、その後LEDが生の映像、テスト、ダイシングソートするには、LEDチップを得ることができます。ウェーハ洗浄が十分にきれいにされていない場(chǎng)合は、蒸発システムが正常でない、金屬層の堆積につながる（エッチング電極を參照）、変色、金電球やその他の異常の金屬層の外観をオフになります。蒸発プロセスは時(shí)々、バネクリップに固定チップに必要とされる、それはクランプ符（目視検査で除算を選択する必要があります）が生成されます。開(kāi)発が完了し、マスクしない穴を開(kāi)けない場(chǎng)合はベーキング、フォトレジスト、カメラの露光、現(xiàn)像等を含む黃色の操作は、複數(shù)の金屬の発光領(lǐng)域の殘基が存在します。ウェーハのFEOL、システムチェンRuqing洗浄、蒸発、黃色、化學(xué)エッチング、溶斷、研削およびその他の操作は、ピンセットや花籠、車(chē)両等を使用する必要がありますので、穀物の電極の傷が起こるのがあるでしょう。